Hfe等、トランジスタの等価回路を調べている内に、

プッシュプル増幅回路のバイアスのかけ方がわかりました。

トランジスタは、可変抵抗になる事がわかりました。

つまり

これは、2SC1815のVCE-Icのデータシートですが、

今、ベース電流が1ｍAの曲線で見ると

VCE　1.5V　--- Ic　100mA

3.5V --- Ic 120mA

ですから、

この傾きの逆数　コレクタ抵抗　ｒｃは

　ｒｃ　=　（3.5-1.5）　/　（0.12-0.1）　=　100　Ω

です。

今度は　ベース電流　0.5mAの曲線をみてみましょう。

VCEが変わってもIcの変化はわずかです。

VCE　1V　---　Ic　60mA

　　　　4V --- Ic 70mA

ですから、コレクタ抵抗ｒｃは

　rc = （4-1）　/　（0.07-0.06）　=　300Ω

以上のように、ベース電流の値によって、コレクタ抵抗ｒｃの値も変わってきます。

どれくらいの変化があるかは

例として

交流的な小信号の出力アドミタンスｈoeパラメータで見てみますと

ｙクラス2SC1815では、

0.8〜90uS位ですから、

小信号出力抵抗は、その逆数で

　1.25MΩ〜１１ｋΩ

となります。
（ここで、コレクタに負荷RLをつないだ時、Ic<3mAくらいでは、コレクタ抵抗は

　負荷RLに比べて十分大きいから、<Ic=3mAでコレクタ抵抗=50KΩ>

殆どの電流はRLに流れると考えます。

　等価回路では、コレクタ抵抗と負荷RLは並列になるから。

定電流回路がコレクタに入ると、そのインピーダンスは無限大だから

反対に、全てコレクタ抵抗に流れると考える）

勿論、直流時のコレクタ抵抗とは違っています。

(と、書いたのですが、どうも同じようです…汗..)

コレクタ抵抗を求めるには、アーリー電圧がわかりやすいです。

アーリー電圧とは、先ほどのVCE-Ic特性のデータシートで、出てきた直線を延長して

X軸と交わる点の電圧のことです。

この電圧Vaがわかれば、コレクタ抵抗ｒｃは

　ｒｃ　=　�儼CE　/　�僮c　=　Va　＋VCE　/　Ic

となり、アーリー電圧は100v位と大きいですから、VCEを無視して

　ｒｃ　=　Va　/　Ic

と計算できます。

ですから、アーリー電圧Vaがわかれば、あるコレクタ電流Icの時の

コレクタ抵抗ｒｃは、アーリー電圧を、そのコレクタ電流で割ればいいのです。

このｒｃがいったい、いくらの値の範囲を取るかは、まだわかっていません…

これで、トランジスタが可変抵抗になる事がわかりました。

ですから、バイアス回路の原理は下図になります。

今、R3,4の値を変えてやれば、Q1のベース電流が変わり、その結果

Q1のコレクタ抵抗が変化し、Q1は可変抵抗となって、VCEが変化するのです。

そして、このQ1は、プッシュプルのTrと熱結合させてやれば、プッシュプルのTrの

温度変化で、ベース電流が変化しても、このバイアス回路のQ1も同時に変化して

安定します。

Q1にはエミッタ抵抗reもあるのですが、この値は数Ω〜数十Ωなので、無視します。

R3,4に流す電流は、ベース電流より十分大きい値にします。