前の１２節で、エミッタ接地増幅回路を調べました。

ベースに注入されたシグナルの電圧Vsと、それによるエミッタ電流の変化分Ieの関係は

Ie　=　gm　*　Vs

であり、エミッタ抵抗reを

re　=　1　/　gm

と置いたのですから

Ie　=　Vs　/　re

ですね。

これの等価回路は以下の図のようになると思います。

この図は、入力を電圧で見たものでは、ないでしょうか。

次に、

Ie = Ic + Ib = βIb + Ib = (1+β)Ib

だったし、

Ie = gm * Vs

の関係から、これを代入し

gm * Vs =(1+β)Ib

から、入力抵抗Rinは,この式を変形して

Rin = Vs / Ib = (1+β) / gm = (1+β) * re

でした。

これから、ベースに注入されたVsがRinの抵抗を介して

Vs / Rin = Vs / (1+β)*re = gm * Vs / (1+β) =Ib　[　Ie=gm*Vs,　Ie=(1+β)Ib]だったから]

の大きさの電流が、エミッタに流れ込むと、電流で考えれば

という等価回路が考えられるのでは、ないでしょうか。

（私は、この等価回路は、こう言う意味ではないかと、解釈してるのですが…）

「トロ活」（トロイダル・コア活用百科）p.128にあった記述

「トランジスタの入力インピーダンスは、エピタキシャル・プレーナー型の場合　Rin

　=26β/Ie(mA)、「Ω」で表されることが知られており…」

（エピタキシャル・プレーナー型がなにかは、私は知りませんが）の意味がわかった

ような気がします。

つまり、先ほど

Rin=(1+β)*re

の式を導き出しましたが、

ここで、第11節で定義しましたように

re=１/gm

であり、

gm=（ｑ/KT）*Io

でしたから

Rin=(1+β)*re=(1+β)/gm=(1+β)*(KT/q)/Io

ここで

1+βは大体βに等しい（βが１よりだいぶ大きい）

Kはボルツマン常数1.38e-23

Tは常温27度での絶対温度=300

ｑは単位電荷　1.60e-19

Ioはバイアス時のエミッタ電流Ie

を代入してみると

Rin＝β*(1.38e-23*300/1.60e-19)/Ie

　　=　25.87β/Ie　=26β/Ie(mA)

と、「トロ活」の式が導き出されました。

なんとなく、うれしいです。

とにかく、入力抵抗Rinは、エミッタ抵抗reによって変わってくるという事になります。