AGCの所の、R8、R13の比を大きくしましたので、発生したAGC電圧は
ほとんど、そのまま、効いてきます。
まあ、シミュレーションの結果を見ながら、適当に決めました。
１N60は、1SS19に替えました。
それから
ドレインの所の負荷は、すべて抵抗に替えました。
ゲインが落ちますが、出力波形が、きれいになるからです。
（共振回路を使わないのは、実験のためです。）
S9と言われている、信号強度を、SGで、40dBμ（EMF）だそうです。
従いまして、
アンテナ端子が50Ω入力として、
信号源40dBμは、丁度、インピーダンスのマッチングが取れて
アンテナ端子での電圧は、半分の50μVになります。
その辺りを、
所蔵のSG、及び、スペアナで調べました。
SG :LEADER 3215 (7020KHz 40.0dBμ、及び 同70.0dBμ）
スペアナ :ADVANTEST TR4171（50Ω入力）
私の、測定精度は、この程度です。
実は、ええか、悪いか、解らんのです...
出力結果
出力１（入力は1μV）
出力２（入力1ｍV）
出力３（入力20ｍV）
出力のFFT
2段目のFETのドレイン電流の変化
ドレインの負荷を、全て、抵抗に替えましたので、ゲインは落ちています。
ドレイン電流の中心点を、Iｄｓｓ付近に持ってきているのは
強いAGCが掛かると、電流の動作の中心が、下の方へ下がるからです。
１−４.共振回路にすると...
ドレイン負荷を、共振回路にすると、
出力も大きいし、きれいです、やはり...
入力 1mV(gain=50.0dB)
入力 20mV(gain=45.6dB)
入力 30mV(gain=45.0dB)
上記のIF段と、その他の回路を、繋いでみました。
アンテナ入力を1μVp、70.7μVp（S9の強度）で、シミュレートしてみました。
IF出力
1μVpのアンテナ入力
あれまっ！
予想に反して、S9の方が、倍率が大きくなってしまいましたね...
その他のシミュレーション結果（後の段のゲートと、ソースの電圧）
これで、よし、とは、思いませんが、
シミュレーションでも、ここまで出来るとは、予想外（失礼）でした...私が無知なだけですね (^_^;;
これから、このシミュレーションで、もうちょっと、結果を良くして
それから、実際の回路を繋ぎ合わせてみたいと、思っています。
H.16.10.7