FETソースフォロアでプローブ

なんとか、FETプローブみたいなものを、作りたいと思いました。

２．１石FETソースフォロアを作ってみる

前々節で、２SC1906による、エミッタフォロアを作りました。

これを、2SK241Yのソースフォロアで、試したみました。

出力インピーダンスを測ってみました。

出力インピーダンスは、８７Ω位でした。

しかし、ゲインの低下が、整合させると、大きいのです。

そんで、５０Ω直結で、行くことにしました、無茶かも、知れんけど。

あんまし、変わらんかったけど、直結で、やってみました。

３．ソースフォロアの結果は如何？

                                    アロンアルファの勇姿！  (^_^;;

ネットアナ（８７１２ET）での計測結果（入力はー２０ｄBm）

170MHｚまでなら1dBm以内に収まります。

2ｄBm以内でしたら、500MHｚまで、行けそうです。

実は、FETの電源を切ったら、こんな特性になります。（入力-20ｄBm）

FETの電源を切っても、FETの入力容量で、以上の特性になる訳です。

ですので、高い周波数は、入力容量の力が、大きいということですね。

FCZ研究所の249　初級　スペアナプローブ　山吹キット　は、大いに参考になりました。

ありがとうございました。

尚、このFETプローブもどきの下限は、ソースフォロアの出力のCの影響が大きいのですが

今は、104積層セラミックだけなので、３０KHｚ位です。

最後に、実験中のミキサーとセラミックフィルタ通過後の、局発入力等のスペクトラムです。

局発入力

通過後

従いまして、81ｄBmの減衰に、なりました。

４．FETを2個並列に改良する

２SK241Yを、2個並列に、改良致しました。

出力インピーダンスが、６０Ω付近になるのです。

その代償として、１ｄBポイントの周波数が、減少しました。（入力は-20dBm）

ゲインの減少は、５〜６ｄBｍに抑えられています。

私は、高い周波数を使ってないので、ゲインの減少の方を、優先しました。

それから、

シミュレーションに依ると

入力電圧は、0.2Vｐ以下（0.14Vｒｍｓ）、でないと、歪が大きいです。

この値は、インピーダンスに関係なく、それ以下でないと、いけない模様です。

具体的には

インピーダンスが、50Ωの所を測るなら、-1ｄBm以下です。

これは、この回路の、大きな制約です。

裏返せば、

測定結果が、-6ｄBm以上なら、歪が大きくて、信用できませんね...（FETパラで測って）

ええ事ばっかりじゃ、ないですね...

更に、付け加えて、以上の条件をクリアしていても

製作したFETパラのプローブは、直線性が悪い（基本波に対して2次高調波は、-30dB）事が判明。

MS8606A内臓の発振器で20KHｚ　100ｍVｒｍｓを観測すると、

元発振器の2次高調波が、大きく狂って、プローブの直線性の悪さを露呈しました。

うーん、見るに絶えん...

これが、FETプローブ製作の難しさか......実感

しっかし、これは、1石の知識だけでは、難しそう...

現在の実力では、ほぼ、不可能と思われます、残念無念    （T_T)

もっと、研鑽を積まねば...

このプローブを使うときには、

高調波関係にあるものは、全く信用できない、という結論です、トホホ。

別のソースフォロアを、試してみます。

これは、もうちょっと、ましみたいですよ、次回に...

H.16.11.3