入力が小信号の時のトランジスタモデルについて
エミッタ電流とベース電圧の関係(small-signal modeling)
	この関係はEbers-Mollの関係式　Ie=Ies*[exp（ｑV/kT)-1]で表されることがわかりました。 今、ベースの入力シグナルが小さい時、ベース電圧（バイアス電圧＋シグナル電圧）によるエミッタ電流の変化は、バイアス点の周囲でテーラー展開した時の、1次（線形linear）までをとれば、よい事になります。 ですから、上の式は、まず近似して　Ie=Ies*exp(qV/kT) とし、ここでテーラー展開すると(注　Vb=Vbias,Vs=Vsignalと略します） Ie=Ies*[exp(qVb/kT) + 1/1! *(q/kT)*exp(qVb/kT)*Vs +1/2!*(q/kT)^2*exp(qVb/kT)*Vs^2+..... と展開されますから、常数の第1項、線形の第2項のみをとれば Ie=Ies*exp(qVb/kT) +Ies*(q/kT)*exp(qVb/kT) *Vs だけが残ります。ここで、 常数 Ies*exp(qVb/kT) = Io とおくと、 上式は Ie = Io  + Io*(q/kT) * Vs となり、 gm = Io*(q/kT) とおくと　（small-signal transconductance　といいます） Ie = Io + gm * Vs という関係になります。 Ioを上式のように決めたのですから、Ioの値はベースのバイアス電圧　Vbが与えられた時に流れる、エミッタのバイアス電流です。 gmも上式で定義されたのですから、gmの値はエミッタのバイアス電流によって決まる値です。 ですから、シグナルだけに注目すると、シグナルによるエミッタ電流の変化をIsとおくと Is = gm *Vs の関係があります。 これで、入力のシグナル電圧と、エミッタ電流の変化分の関係が解りました。
電流でみてみると...
		コレクタ電流Icとベース電流Ibの関係は Ic =　β＊　Ib の関係があります。 この関係は線形（linear）です。正比例関係にありますね。 それから、エミッタ電流Ieと、コレクタ電流Ic、ベース電流Ibの間には、次の関係があります。 Ie =　Ic　+　Ib
ベース電流Ibとベース電圧Vbの関係は
		Ie = Ic + Ib =β＊Ib　+　Ib =( 1+β)*Ib シグナルだけに注目します。（シグナルのベース電圧Vs、ベース電流Ibです)　 Is= gm *Vs　を代入すると Ie = gm *Vs　ですから gm*Vs =(1+β)*Ib の関係があります。 そんで　変形すると　入力インピーダンスRinは Rin　= Vs/Ib = (1+β)/gm = (1+β)*re と求まります。re=　1/gmでエミッタ抵抗(emitter resistance)といいます。 （Ftは電流のゲインが１になる周波数） gmの値がエミッタのバイアス電流で決まる値でしたから reもエミッタのバイアス電流で決まる値です。 で、扱う周波数が、TrのFtに比べ、十分低い時 等価回路は次のようになります。