Iｄｓｓと、Vp（ピンチオフ電圧）を測ってみました。
測定には、しょぼすぎるけど、テスタ2台（Tektronix DM250 & AND AD-5823 LCR MULTIMETER）。
そんでも、最後の桁が、１だけ違うだけなので、これで、よし、と、します。
「spiceによるトランジスタ回路の設計岡村先生CQ出版p.187 JFETモデルの作成」を見て
色々、パラメーターを、変えてみましたが、無理でした...
そんなもん、むりや、
第一、パラメ-ター（LAMBDA、ALPHA等）の、意味が解ってないんですもん...
ｒｓ、ｒｄは、岡村先生に依ると、入れといた方がええとの事で、これだけを、入れただけです。
後は、実測値のIdss、VTOに合わせて、betaは作りました。Cgd、Cgsは、ｔｙｐを使用。
ほんの少しでは、ありません...Idssの２倍でも、平気で流れました...
原因は、Vgsをプラスに、し過ぎたので、ゲート、ソース間のｐｎ接合（ダイオード）が、ONしてしもうたからです...
これでは、FETの正しい使い方には、なりませんね...びっくりしたあ
以降、このmy2SK193fモデルで、調べて行きます。
動作点のIdは1.36mA、Vgs＝-1Vです。
前節のようにして、直流的なバイアスを決めます。
FETが、ひとつだけのだけの回路ですが、
ゲートの電位を変化させる事によって、ゲインが変わることを確かめました、大して変わりませんが...
ゲインが、変化する事が、解ります、大きな変化では、ないですが...
増幅回路を、単に２つ連ねただけです。（他に、負帰還も試しています）
ドレインの負荷は、Lを使います、抵抗では、ドレイン電位の低下がもったいないからです。
AC analysisです。
入力が100mVp-pでは、すでに飽和しています。
ここで、100pFのCを通して、負荷（今は抵抗の１０ｋΩ）を貰い、これで、どれ位のAGC電圧が出てくるのか？
まず、確かめました。
右端のAGCとラベルした所で、測りました。
その事を調べました。
元の回路の、ゲートをバイアスするために入れた抵抗の値は、そのままにして
AGC電圧を、どれ位大きさの抵抗を介したら、よいのでしょうか？
上図の条件で、Rを１Ω 10kΩ 25kΩで、調べました。
（これ以上大きな抵抗値にすると、ゲート電位が、ソース電位を上回ってしまいます。）
ゲート電位が、ソース電位より、低い事が大切です。
ですので、同時に観察する事が必要です。
そして、ゲート、ソース間の電圧の差が、いちばん大きいのはR=1Ωでした。
つまり、直接繋ぐのが、今の場合、効果があるようです。(勿論、ケースによって違うと思いますが）
そんな訳で、生成されたAGC電圧を、適当に分圧して、直接繋ぐことに、しました。
AGC電圧を分圧するR13,R8は、比率だけ決め、その都度、その倍数にしたりして、決めました。
回路を繋いだときの、AGC電圧
途中で、シミュレートを止めてみました、この方が見やすいかも...
そして、その拡大図です。
これを見ると、入力が20mVでは、
ゲート電位がソース電位を、わずかに上回る時がありますが
0.4V以内なら、GS間のｐｎ接合は開かないでしょう。
この時の、出力端子（10kΩ）での出力
上のFFT結果
うーん、どうも、芳しくありません。
この時の、2段目のFETのIdは、きれいなんですが、
インダクタンスLで受けるのは、よくないのでしょうか？
出力電圧が、冴えませんわ...
ここは、やはり、共振回路を付けなくては、きれいにならんような気がするのです...
やはり、大分きれいになりますね...
実際に作ってみたら、又、違うのは、当然ですが...
2-4 AGCの制御電圧を変えると...
AGCの制御電圧を変える事によって、ゲートのバイアスの深さを、変化できます。
それには、AGCの所の、分圧比を変えるのです。
例えば、R8を変化させて8kΩにすると
電圧ゲインも変化します。
続いて R8=20kΩにすると
1mV が 166mV で 44ｄB
10mVが 646mV で 36dB
20mVが 848mV で 32.5dB
こんな具合です。
AGCの最適な電圧は、いくらなのか？
まだ、掴めていません....
まだまだ、模索中です。
続く...
H.16.10.3