大きな変更は、ありませんが、2箇所ほど。
前回、大きな信号にも、耐えられるようにと、ゲート２の抵抗の値を500Ωに変更しましたが
元の値に戻しました。
理由は、
この抵抗は、初段のFETの負荷にもなるわけですが、
ここでゲインを落とすよりも、むしろ、
終段のドレインの負荷の値を小さくしたほうが、最適負荷に近づくから
です。
したがって、
ゲートの抵抗を、元の60ｋΩに、
終段の負荷を2ｋΩに
変更致しました。
例によって、PCBE.EXEのお世話になりました。
AGC回路など、はじめてなので、配置は、うまくないです。
インピーダンスの高い、ドレイン負荷の所も、結構引き回しました。
しかし、うまく動いてくれました、発振も無く....
基板は、手彫りです、なはは(^_^;;
エッチング等、面倒なもんで...
10mm角のFCZのIFT(455KHz)が、やけに、おおきい。
２SK241は、シミュレートのものとは違い、Iｄｓｓの小さいほうの、２SK241Yです。
こんな大事な時に、無選別なんですわ...Idss位、揃えんかいと、怒られそう...（本来ずぼらなんです、わし）.
対入力の特性等、まだ、とっていません。
とりあえず、７０ｄB位のゲインと、AGC電圧の確認、それと、大きな入力を入れても、発振しない事を
確かめました。
ゲインの観測です。
70ｄB位のゲインが、観測されました、ほっ、よかった。
IFTの2次巻き線を使わないと、FETの2段でも、結構ゲインとれますね。
出力インピーダンスを、上げると、
もう、10ｄBは、とれると思うけど、発振が怖い....
入力レベル（入力換算70ｄBμ）で、大きなAGC電圧が、発生しています。（マイナス0.969V）
この入力レベルで、もう、既に、飽和しています....
AGCの測定方法は、今、勉強中です。
結果は、次回に。
H.17.3.24