前段の、ミックス段の出力は、IFTの出力インピーダンスが1.5KΩでした。
強制的に1.5kΩにするために、R51.5kΩを回路に並列置きます。
SGの出力インピーダンスを、この1.5kΩに合わせるために、1.5kΩの抵抗を直列に入れます。
下の回路に出てくるR1は、上図のR5です。
MOS_FETの入力インピーダンスは、無限大に大きいのですから
ゲート1(G1)で、いくらの減衰になるか?
実測してみました。
スペアナは、TR4171(1MΩ入力)
プローブは、10:1のテクトロの100MHz用プローブ
SG入力87.8dBμスペアナ計測値60.0dBμ真値は60.0+20dB=80.0dBμ
結局、
と、計算されます。
これは、
1.5kΩが2つ直列されるから、6dB減衰
それと、その他の減衰1.8dBの合計です。
スペアナの電圧計測値は、常に、-20dBされるのが、忘れそう.....
ゲインは、出力インピーダンスで変化します。
出力インピーダンスが
2.2Kで72.5dB
15kで85.5dB
24kで87.5dB
でした。
15k、24kの場合、ゲートを開放すると、発振します。
実際には、開放することは、ないので、これで、いいと、思いまする。
AGC有りの場合と、AGC無しの場合で、計測しましたが
15k、24kは、AGCありの場合も、そうでない場合も、特性は、殆ど変わらなかったので、15kで代表します。
こうしないと、
出力インピーダンスが2.2kの場合
AGC有りの場合と、無しの場合で、違いがなかったんです。
計測結果です。
ここで、前段のシミュレーションから得た値を、調べておきます。
アンテナ入力
S9=600μVp =52.6 dBμVrms中間周波入力換算
1μVp =5.1 dBμVrms中間周波入力換算
0.1uV =-1.9 dBμVrms中間周波入力換算
この値を使うと
S9(52.6dBμV)中間周波入力換算あたりから、AGCが効きはじめます。
S9の入力換算値を調べてみましょう
SGの入力=52.6dBμ+7.8dB=60.4dBμV
ですから
注意 (元々、使用したSG自体が、2次高調波は、基本波に比べて40dB下にあります。)
同入力で、
このS9換算の入力で、AGC電圧は、すでに、0.62V出ています。
しかし、ご覧のように、
AGCがかかっても、2次高調波とは、28dBの差があって、
出力電圧も、丁度よい位の大きさです。
この出力を、SH7047FのADコンバータに入れる、予定を、しております。
S9より、Sが5つ小さい、S4の信号(-15dB)でも
AGC電圧は0.27Vありますから、Sメータも、なんとか振らせる事ができるのでは....
Sメータ、よく知りませんねんやわ....
一方、出力インピーダンスが15kΩの方は
ゲインが80dB位取れます、ノイズも同じく増えるのですが...
こちらの方は、AGC電圧が、ゲインのせいで、早くから効きます。
計算では、ほとんど、S1位からか...
これが、普通なんやろか?全く解らん、
ゲインが大きいほうが、やっぱりええねんやろか?
どっちが、ええのん?
AGCが無かったら、138dBμVまで、出力があるのに、
AGCを入れることに依って、112dBμVまで、下げることができたから
利得制御が26dB、または、21dBあったと、言うことになるんやろか?
それとも、
入力が100dBの範囲で、AGC有りの場合
出力が112-72=40dBの変化やから
100-40=60dBの利得制御と、なるんやろか....
ここんとこ、よく解らんのですが....
H.17.3.29